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碳化硅: 冉冉升起的第三代半导体
2022.10.08
碳化硅发展历程碳化硅是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时,在实验室偶然发现的一种碳化物,当时 误认为是金刚石的混合体,故取名金刚砂,1893年艾奇逊研究出来了工业冶炼碳
揭秘碳化硅,第三代半导体材料核心,应用七大领域,百亿市场空间
2021.11.15
01.性能突出宽禁带半导体核心材料第一代半导体主要有硅和锗,由于硅的自然储量大、制备工艺简单,硅成为制造半导体产品的主要原材料,
第三代半导体的激流与险滩
2021.10.26
虽然从整个半导体器件市场来看,硅材料因其易获取、低成本等特性,依然是最为重要的基础载体,但以新能源汽车、5G基站为代表的新兴行业应用,正托举出一个新的半导体材料需求市场,也
谈谈GaN功率器件未来5-6年的发展趋势
2021.10.22
各行各业如今都在追求“效率”“能效”,电源、功率相关的应用上,更高的效率意味着更高的功率密度:包括追求体积更小的解决方案,并确保所需的功率级;包括数据中心、电动汽车等诸
SiC器件的典型应用
2021.10.21
碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显着提高电能利用率。可预见的未来内,新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱,已
一文了解氮化镓(GaN)的应用
2021.10.20
GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、
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